-참석 기간: 2022. 10. 19. ~ 2022. 10. 22.
-학회 후기
ISOCC 2022는 아날로그 및 디지털 회로 및 시스템 설계, 이론, 시뮬레이션, 모델링, 실험적 구현 및 경험, SoC 분야의 새로운 첨단 개념 및 발전을 제시하는 반도체 회로 및 시스템 분야 학회로, 저는 본 학회에서 special session 8번의 "Emerging applications of intelligent system semiconductor”에 참여하였습니다. 해당 세션은 지능형 반도체와 관련된 다양한 응용 가능한 시스템, 회로 설계, 소자 기술에 대한 논문을 발표하였으며, 해당 논문들을 통해 최근 기술 동향과 연구 방향을 살펴보고 다양한 연구 관점에서 논의를 진행하였습니다.
-발표 후기
저는 학회에서 TCAD 시뮬레이션을 통해 metal-ferroelectric-metal-insulator-semiconductor (MFMIS)의 capacitance ratio에 따른 ferroelectric tunnel field-effect transistor (FeTFET) 전기적 특성을 분석하였습니다. 기존 MFMIS에서 CFE/CMOS의 비율이 작아 짐에 따라 강유전체에 더 높은 전압이 형성되어 MW가 증가하였으나, FeTFET에서는 특정 ratio부터는 MW가 감소하는 특성을 보였습니다. 이는 CMOS가 작아 짐에 따라 gate controllability가 감소했기 때문입니다.
저는 본 학회에서 해당 발표를 준비하면서 FeTFET에 대한 더 깊은 이해를 할 수 있었으며, 해당 시뮬레이션의 결과를 기반으로 실험계획을 세울 수 있었습니다. 기존 예상하였던 결과와 다르게 나온 점들이 연구에 더욱 흥미를 느낄 수 있도록 하였습니다. 또한, 제가 생각하지 못한 부분들에 대하여 질문이 들어와 해당 부분에 대해서 더욱 깊게 고민을 할 수 있는 시간이 될 수 있었습니다.