학회리뷰
- 이동근
- 김상완
- 2024.11.24
- 230
-참석일: 2024.11.24. ~ 2024.11.27.
-학회 후기
2024 Electronic Materials and Nanotechnology for Green Environment (ENGE) 학회는 전자재료 및 나노공정기술 분야의 최신 연구 성과를 교류하는 국제 학술학회로, 11월 24일부터 27일까지 제주도에서 개최되었다. 본 학회에 참석하여 다양한 연구자들의 발표를 청취할 수 있었으며, 특히 silicon-silicon germanium epitaxy 기술과 관련된 연구 발표가 크게 인상 깊었다. 해당 기술은 현재 연구중인 gate-all-around 구조 기반 FET 소자 제작에 필수적인 핵심 공정 기술로, 큰 관심을 갖고 발표를 청취하였다. 발표 내용은 다양한 공정 조건에 따른 epitaxy 공정 안정성 확보에 관한 연구였으며, 발표 및 질의응답을 통해 현재 수행중인 연구에 참고할 수 있는 유의미한 정보를 얻을 수 있었다. 특히, epitaxy 공정 설계 시 고려해야 할 변수와 주의사항에 대해 실질적인 통찰을 제공받을 수 있어 매우 유익한 시간이었다.
-발표 후기
본 학회에서는 ‘Dual-channel MOSFET-based ternary-CMOS inverter’라는 주제의 연구 결과를 발표하였다. 본 연구는 고집적, 고속 삼진 논리 회로 구현을 목표로, 삼진 논리 동작에 적합한 전류-전압 특성을 효과적으로 제공할 수 있는 이중 채널 MOSFET을 설계하고, technology computer-aided design (TCAD) 시뮬레이션을 통해 해당 소자를 기반으로 한 삼진 인버터 회로를 구현하여, 동작 안정성 및 속도를 평가하였다. 연구 결과, 기존에 보고된 삼진 논리 인버터 대비 ns 수준의 빠른 동작 속도와 안정적인 삼진 논리 구현이 가능함을 확인하였으며, 이를 통해 차세대 논리 회로 소자의 가능성을 확인하였다. 본 발표 이후, 설계된 이중채널 MOSFET의 핵심 파라미터 및 공정 구현 가능성에 관한 질의가 이어졌으며, 향후 실제 공정 기반의 구현을 위한 후속 연구의 필요성을 재확인하며 발표를 마무리하였다.
