학회리뷰
- 노형주
- 김상완
- 2024.07.07
- 466
-참석일: 2024.7.7. ~ 2024.7.10.
-학회 후기
Asia-Pacific Workshop on Advanced
Semiconductor Devices (AWAD) 학회는 2024년 7월 7일부터 10일까지
대한민국 강릉에서 3일간 진행되었습니다. 학회 기간 동안
최신 반도체 소자에 대한 다양한 연구 및 발표를 들을 수 있었습니다. 제가 관심있어 한 최신 3D NAND의 scaling trend와 solution 및 nano-imprint lithography와
같은 최신 공정 기술에 대하여 좋은 발표를 들을 수 있었습니다. 본 학회 참여를 통해 반도체 소자 및
공정에 대한 견문을 넓힐 수 있는 좋은 기회를 얻었으며, 제 연구를 더욱 발전시킬 수 있는 데 도움이
되었습니다.
-발표 후기
저는 “Investigation
of the memory characteristics in the gate-injection ferroelectric
metal/oxide/semiconductor (MOS) capacitors”라는 주제로 구두 발표를 진행하였습니다. 해당 연구에 대하여 간략히 소개 드리자면, 기존 charge trap flash는 넓은 memory window (MW)를
구현할 수 있어 multi-level cell (MLC) 기능에 이점이 있지만, 높은 동작전압 및 느린 속도로 인해 높은 구동전력 소모를 발생시킨다는 단점이 있습니다. 이와 반대로 ferroelectric FET (FeFET)은 낮은
동작전압 및 빠른 속도로 전력 소모를 줄일 수 있으나, channel injection charge로
인해 MW가 작아 MLC 동작에 단점이 있습니다. 두 한계를 동시에 극복하기 위해, gate-injection 메커니즘과 polarization을 동시에 활용할 수 있는 GI-FeMOSCAP을
제작하였으며 넓은 MW 및 낮은 동작전압, 빠른 속도를 동시에
달성할 수 있음을 보였습니다. 다만 여러 교수님들로부터 해당 소자에 대한 신뢰성 특성에 대한 질문을
받았으며 신뢰성 평가 부문에 부족함이 있음을 느꼈습니다. 본 발표를 통해 제 연구를 더욱 견고히 할
수 있는 좋은 기회가 되었습니다.
